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J-GLOBAL ID：200903081906974873

多層膜のドライエッチング方法及び装置

Inventor： 作田 弘樹 ,  和久井 陽行 ,  高畠 勝 ,  小西 信武
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993047675
Publication number (International publication number)：1994260413
Application date： Mar. 09, 1993
Publication date： Sep. 16, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】UV処理の耐熱効果を低減させることなくホトレジストをマスクとした多層膜のドライエッチング、及び、反応生成物の堆積をなくすことによる多層膜の加工精度向上,エッチングレートの向上,スループット向上,装置の製造コスト低減を提供するところにある。【構成】ドライエッチング装置9の前室にレジスト中に含まれる水分を除去するための真空加熱機構、及び、レジストを高分子化するUV処理機構を有するUV処理装置10を付随、もしくは、ドライエッチング装置の前室である真空搬送待機室内に前記UV処理機構を有し、大気中に開放されることなくドライエッチング処理を行うことができる構造。

Claim (excerpt)：

薄膜トランジスタ及び、画素容量で構成されるアクティブマトリクス方式の液晶ディスプレイにおいて、それを構成する材料である金属膜,透明導電膜,半導体膜,絶縁膜のうち少なくとも二層以上の多層膜をホトレジストをマスクとしてパターン加工するドライエッチング方法において、ホトレジスト中の水分を除去する工程,レジストを高分子化する工程、及び、大気中に開放されることなく多層膜をドライエッチングする工程を経ることを特徴とする多層膜のドライエッチング方法。

IPC (4)：

H01L 21/027 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 21/302 ,  H01L 29/784

FI (3)：

H01L 21/30 361 N ,  H01L 21/30 361 Q ,  H01L 29/78 311 F