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J-GLOBAL ID：200903081910365121
量子井戸半導体レーザ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994079084
Publication number (International publication number)：1995288363
Application date： Apr. 19, 1994
Publication date： Oct. 31, 1995
Summary：
【要約】【目的】 多重量子井戸活性層半導体レーザにおいて、量子効果を減ずること無くキャリア局在を解消することにより、発振閾電流値を低くし微分量子効率を向上させる。【構成】 p型クラッド層4とn型クラッド層2に挟まれた、ウエル層10とバリア層11とからなる多重量子井戸構造活性層において、前記バリア層一層の中に、厚さ5nm以上の領域と厚さ3nm以下の領域とが存在している。このようなバリア層を備えることにより量子効果を損なうこと無く注入キャリアの局在を解消する。
Claim (excerpt)：
p型クラッド層とn型クラッド層に挟まれた、ウエル層とバリア層とを有する多重量子井戸構造活性層において、前記バリア層一層の中に、厚さ5nm以上の領域と厚さ3nm以下の領域が存在することを特徴とする量子井戸半導体レーザ。
IPC (2)：
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