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J-GLOBAL ID：200903081912291842

半導体電極及びそれを用いた光電変換素子

Inventor： 廣瀬 英一 ,  今井 彰 ,  佐藤 克洋 ,  高田 北斗 ,  小野 好之
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社
Agent (1)： 中島 淳 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999343466
Publication number (International publication number)：2000323192
Application date： Dec. 02, 1999
Publication date： Nov. 24, 2000
Summary：

【要約】【課題】 半導体と色素との間の電荷の移動を制御することができる半導体電極、並びに、開放電圧、短絡電流、形状因子、及び光電変換効率に優れた光電変換素子の提供。【解決手段】 導電性基体12上に、半導体層13を有する半導体電極において、該半導体層13が、半導体131上に電荷移動制御分子132及び色素133をこの順に担持させてなることを特徴とする半導体電極1である。また、半導体電極と、該半導体電極に対向する対向電極3と、電荷輸送物質を含有する電荷輸送層2とを有する光電変換素子であって、該半導体電極が、上記記載の半導体電極1であり、かつ、前記電荷輸送層2が、該半導体電極1及び対向電極3と接して配置されることを特徴とする光電変換素子である。

Claim (excerpt)：

導電性基体上に、半導体層を有する半導体電極において、前記半導体層が、半導体上に電荷移動制御分子及び色素をこの順に担持させてなることを特徴とする半導体電極。

IPC (2)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04

FI (2)：

H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z

F-Term (4)：

5F051AA14 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032EE16