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J-GLOBAL ID：200903081937182088

半導体装置の製造方法

Inventor： 佐々木 智幸 ,  森 肇
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993184992
Publication number (International publication number)：1995045587
Application date： Jul. 27, 1993
Publication date： Feb. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】 アルミニウム配線上の絶縁膜のドライエッチング工程でアルミニウム弗化物や、テフロン系の堆積物の発生を防ぎ、コンタクト不良を低減する。【構成】 シリコン基板1のアルミニウム配線3上に被着したシリコン酸化膜4を弗素系ガスでドライエッチングした後、酸素を用いたプラズマを照射しテフロン系堆積物6を除去する。次にシリコン基板1を加熱しながら、臭素系ガスまたは塩素系ガスでオーバーエッチングすることにより、アルミニウム弗化物が堆積物として生成する事を防ぐ。最後に窒素を用いたプラズマを照射し、アルミニウムの腐食の原因となる臭素原子、塩素原子の残留を除去する。

Claim (excerpt)：

半導体基板のアルミニウム配線上に被着した絶縁膜上にホトレジストをパターニングする工程と、前記絶縁膜をドライエッチングによってパターン形成する工程と、前記絶縁膜を臭素系または塩素系ガスのプラズマにより、オーバーエッチングする工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 21/768

FI (4)：

H01L 21/302 G ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/88 D ,  H01L 21/90 A