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J-GLOBAL ID：200903081940116509
薄膜トランジスタ基板
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992014919
Publication number (International publication number)：1993224234
Application date： Jan. 30, 1992
Publication date： Sep. 03, 1993
Summary：
【要約】【目的】薄膜トランジスタ基板の配線欠陥をなくし歩留りを向上させることを目的とする。【構成】薄膜トランジスタ基板において、走査電極配線と信号電極配線との交点部分を走査電極配線を2本以上に分けかつ信号電極配線を2本以上に分けて交点を2×2以上のマトリクスとする。【効果】交点を2×2以上のマトリクスとしたことにより交点部分で1カ所断線が発生しても薄膜トランジスタ基板としては、断線とならず、短絡欠陥が発生しても修正ができるため配線欠陥をなくせる。このため薄膜トランジスタの歩留りを向上できる効果がある。
Claim (excerpt)：
薄膜トランジスタのゲート電極に接続する走査電極配線と前記薄膜トランジスタのドレイン電極に接続する信号電極配線とを少なくとも有する薄膜トランジスタ基板において、前記走査電極配線と前記信号電極配線との交点部分を前記走査電極配線を2本以上に分けかつ前記信号電極配線を2本以上に分けて交点を2×2以上のマトリクスとすることを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
IPC (2)：
G02F 1/136 500
, H01L 29/784
