Pat

J-GLOBAL ID：200903081940858955

電子フラッド・ガン

Inventor： アントニー レナウ ,  スティーヴン モフィット ,  フレデリック プランブ
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレーテッド
Agent (1)： 中村 稔 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995175866
Publication number (International publication number)：1996050876
Application date： May. 13, 1988
Publication date： Feb. 20, 1996
Summary：

【要約】【課題】 イオン注入の間の半導体ウエハの潜在的、かつ破滅的に帯電する正電荷をなくすことにある。【解決手段】 一束の電子をイオン・ビームに放射するためのバイアス電圧を受け取るように構成された陰極及び陽極を含むダイオード手段と、電子束または電流を増幅しかつピーク電子エネルギーを目標物の正電荷の電位レベルに相当するレベルに下げるために陰極に隣接する領域に希ガスを導入する手段と、電子流を制御するために陰極に調整可能なバイアス電圧を印加する手段とを備えているイオン・ビームにより半導体ウエハのような目標物に誘起される正電荷を中和する電子フラッド・ガンを提供する。

Claim (excerpt)：

イオン・ビームにより半導体ウエハのような目標物に誘起される正電荷を中和する電子フラッド・ガンであって、一束の電子をイオン・ビームに放射するためのバイアス電圧を受け取るように構成された陰極及び陽極を含むダイオード手段と、電子束または電流を増幅しかつピーク電子エネルギーを前記目標物の前記正電荷の電位レベルに相当するレベルに下げるために前記陰極に隣接する領域に希ガスを導入する手段と、前記電子流を制御するために前記陰極に調整可能なバイアス電圧を印加する手段とを備えていることを特徴とする電子フラッド・ガン。

IPC (4)：

H01J 37/317 ,  C23C 14/48 ,  H01J 37/06 ,  H01L 21/265