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J-GLOBAL ID：200903081944819164

窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーの切断方法

Inventor： 山田 元量 ,  妹尾 雅之 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993092403
Publication number (International publication number)：1994283758
Application date： Mar. 25, 1993
Publication date： Oct. 07, 1994
Summary：

【要約】【目的】 サファイアを基板とする窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーをチップ状にカットするに際し、切断面のクラック、チッピングの発生を防止し、歩留良く、所望の形、サイズにカットする方法を提供する。【構成】 サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体が積層されたウエハーをチップ状に切断する方法において、前記サファイア基板を研磨して薄くする研磨工程と、研磨されたサファイア基板面をスクライブするスクライブ工程とスクライブされたウエハーがサファイア基板面を凸状として反り返る応力により、前記ウエハーを分離する分離工程とを具備する。

Claim (excerpt)：

サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体が積層されたウエハーをチップ状に切断する方法において、前記サファイア基板を研磨して薄くする研磨工程と、研磨されたサファイア基板面をスクライブするスクライブ工程とスクライブされたウエハーがサファイア基板面を凸状として反り返る応力により、前記ウエハーを分離する分離工程とを具備することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーの切断方法。

IPC (4)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/304 301 ,  H01L 21/78 ,  H01S 3/18