固体撮像装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992206365
Publication number (International publication number)：1994053472
Application date： Aug. 03, 1992
Publication date： Feb. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】写真食刻法工程における位置合わせ誤差により垂直転送部と水平転送部の接続部に生じるポテンシャル井戸や障壁を防止し、垂直転送部から水平転送部への信号電荷の転送を効率良く行う。【構成】窒化シリコン膜3とフォトレジスト膜4aをマスクにイオン注入法、不純物の熱拡散法にて水平転送部となる第1のP型ウエル層を形成する。選択酸化により、第1のP型ウエル層上に約400nm程度の酸化シリコン膜を成長し、窒化シリコン膜3を除去し、垂直転送部となる第2のP型ウエル層を酸化シリコン膜をマスクにイオン注入法及び不純物の熱拡散にて第1のP型ウエル層と自己整合的に形成する。垂直転送部となる第1のN型半導体領域を酸化シリコン膜をマスクにイオン注入法にて第1のP型ウエル層と自己整合的に第2のP型ウエル層内に形成する。酸化シリコン膜を除去し、垂直転送部となる第2のN型半導体領域を写真食刻法を用いてイオン注入法にて第1及び第2のP型ウエル層内に形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板の表面部の第1導電型半導体層の表面領域内にそれぞれ形成された複数個の光電変換部、前記光電変換部より転送されてくる全信号電荷パターンを一水平走査線毎に一斉に転送する複数本の垂直転送部および前記垂直転送部より一水平走査線毎に転送されてくる信号電荷を信号出力部に転送する水平転送部から構成される固体撮像装置において、前記第1導電型半導体層が、前記垂直転送部及び水平転送部に対してそれぞれ自己整合的に異なる濃度プロファイルで形成されていることを特徴とする固体撮像装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平2-078272
特開昭58-125977
特開平2-078272

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