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J-GLOBAL ID：200903081955166952
ショットキー接合形FET
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
佐藤 幸男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997207350
Publication number (International publication number)：1999040576
Application date： Jul. 16, 1997
Publication date： Feb. 12, 1999
Summary：
【要約】【課題】 耐圧性に優れ、しかも製造が比較的容易なショットキー接合形FETを提供する。【解決手段】 半導体基板11上に形成されたチャンネル層14と、該チャンネル層上に相互に間隔を置いて形成されたソース電極16およびドレイン電極17と、該ソース電極およびドレイン電極間でチャンネル層14にショットキー接合するゲート電極15とを含むショットキー接合形FET10。チャンネル層14と半導体基板11との間に、チャンネル層14と共同して、ドレイン電極17と基板11との間の漏れ電流に対して逆方向接続となるpn接合を構成するための接合層13を形成する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に形成されたチャンネル層と、該チャンネル層上に相互に間隔を置いて形成された一対の電極と、該両電極間で前記チャンネル層にショットキー接合するゲート電極とを含み、前記チャンネル層と前記半導体基板との間には、前記チャンネル層と共同して、前記一対の電極のうちの一方の電極と前記半導体基板との間の漏れ電流に対して逆方向接続となるpn接合を構成するための接合層が形成されていることを特徴とするショットキー接合形FET。
IPC (2)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
