Pat

J-GLOBAL ID：200903081976695173

半導体装置

Inventor： 酒井 敏昭
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 北野 好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991158583
Publication number (International publication number)：1993013565
Application date： Jun. 28, 1991
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】本発明は、高速動作が必要とされる回路に使用される抵抗層を有する半導体装置に関し、抵抗の寄生容量を飛躍的に低減させて、高速動作させることが可能な半導体装置を提供することを目的とする。【構成】半導体基板10と、半導体基板10上に形成された高抵抗層14と、高抵抗層14上に形成された絶縁層18と、絶縁層18上に形成された抵抗層20とを有する半導体装置において、抵抗層20下の高抵抗層14内に、高抵抗層14の一部分を取り囲んで電気的に絶縁する閉じたU溝16を形成するように構成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成された高抵抗層と、前記高抵抗層上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された抵抗層とを有する半導体装置において、前記抵抗層下の前記高抵抗層内に、前記高抵抗層の一部分又は複数個の部材を取り囲んで電気的に絶縁する閉じたU溝を形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/74 ,  H01L 27/04