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J-GLOBAL ID：200903081981364266

フォトマスク用ガラス基板及びその製造方法

Inventor： 竹内 正樹 ,  柴野 由紀夫
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (1)： 小島 隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001122397
Publication number (International publication number)：2002318450
Application date： Apr. 20, 2001
Publication date： Oct. 31, 2002
Summary：

【要約】【解決手段】 表面に遮光膜がパターニングされてなるガラス基板の露光時における露光面の平坦度が、露光面の面積1cm2あたり0.04nm以上2.2nm以下になるように局所的にプラズマエッチングすることによって得られたフォトマスク用ガラス基板。【効果】 本発明によれば、IC等の製造の際に重要な光リソグラフィ法で使用されるフォトマスク用シリカガラス系基板等において、フォトマスク露光時に露光面やフォトマスク保持面が極めて平坦になる形状のガラス基板を提供することができ、これによって半導体分野のさらなる高精細化につながる。

Claim (excerpt)：

表面に遮光膜がパターニングされてなるガラス基板の露光時における露光面の平坦度が、露光面の面積1cm2あたり0.04nm以上2.2nm以下になるように局所的にプラズマエッチングすることによって得られたフォトマスク用ガラス基板。

IPC (3)：

G03F 1/14 ,  C03C 15/00 ,  H01L 21/027

FI (3)：

G03F 1/14 A ,  C03C 15/00 A ,  H01L 21/30 502 P

F-Term (8)：

2H095BB17 ,  2H095BC27 ,  2H095BC28 ,  4G059AA08 ,  4G059AB05 ,  4G059AC03 ,  4G059AC24 ,  4G059BB01