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J-GLOBAL ID：200903081987338143

新規なメルカプト置換イミダゾリルポルフィリン金属錯体単量体及びこれを繰り返し単位として有する重合体並びにこれらの製造方法

Inventor： 小夫家 芳明 ,  小川 和也
Applicant, Patent owner： 奈良先端科学技術大学院大学長
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000068766
Publication number (International publication number)：2001253883
Application date： Mar. 13, 2000
Publication date： Sep. 18, 2001
Summary：

【要約】【課題】 人工光合成および新規な太陽電池材料へ応用展開することのできるナノメートル単位の極めて微小な光エネルギー、電子エネルギー伝達ディバイスであって、電極表面と強く安定に接合することができ、かつ結線・断線が容易な自己組織化で構築されたディバイスを提供すること。【解決手段】 次の一般式(1)により表されるメルカプト置換イミダゾリルポルフィリン金属錯体単量体、及びこれを単量体として有する重合体。【化1】

Claim (excerpt)：

次の一般式(1):【化1】{式中、R1は、アルキル基、無置換のアリール基、アルキル置換アリール基及びアルキルオキシ置換アリール基からなる群から選択される基を表し、Mは、Zn、Ga、Ru、Fe及びCoからなる群から選択される金属を表し、Xは、アリーレン基及びアルキレン基の少なくとも一方を含む二価の連結基を表し、R2は、水素原子又はアセチル基を表し、Imは、以下のIm1又はIm2:【化2】(式中、R3は、水素原子又はアルキル基を表す。)により表されるイミダゾリル基を表す。}で表されるメルカプト置換イミダゾリルポルフィリン金属錯体単量体。

IPC (4)：

C07D487/22 ,  C08G 79/00 ,  H01B 1/12 ,  H01L 31/04

FI (4)：

C07D487/22 ,  C08G 79/00 ,  H01B 1/12 Z ,  H01L 31/04 Z

F-Term (12)：

4C050PA04 ,  4C050PA05 ,  4C050PA07 ,  4J030CA03 ,  4J030CB14 ,  4J030CC04 ,  4J030CC05 ,  4J030CC30 ,  4J030CD11 ,  4J030CE02 ,  4J030CG02 ,  5F051AA14