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J-GLOBAL ID：200903082014126289

基板保持方法及び装置

Inventor：
高橋 主人

About 高橋 主人

, 
田村 直行

About 田村 直行


Applicant, Patent owner：
株式会社日立製作所

About 株式会社日立製作所


Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993232797
Publication number (International publication number)：1995086385
Application date： Sep. 20, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：
【要約】【目的】基板の裏面異物を低減し、かつ基板の冷却効率も十分高く維持し、さらに基板の処理中に発生する基板損傷の防止を図る基板保持方法及び装置の提供。【構成】基板1の冷却面にわずかな凹部8を設けて冷却ガス7の導入の有無に拘らず基板1裏面と冷却面が接触しないようにする。また、冷却面に設けた段差の凸部20で、冷却面と基板裏面が接触するが、この面積は必要最少限とする。また、基板外周部に対応する冷却面に表面が滑らかな凸部3を設け、静電吸着により冷却面と基板面積を接触させて係止し、冷却ガスの漏洩防止を図っている。また、基板の損傷防止は、静電吸着の電気回路を基板側からプラズマを介して真空容器などのアース部に接続している。
Claim (excerpt)：
基板を処理するために該基板を保持する基板保持方法において、前記基板の温度制御機能を有する支持部材に該基板を載せた状態で該基板を係止した後、該支持部材に設けたガス供給部から該支持部材と該基板の裏面にガスを供給し、ガスを媒体として該基板を冷却し、該基板の外周部を該支持部材と接触させて該基板裏面に供給されたガスの漏洩を防ぐことを特徴とする基板保持方法。
IPC (4)：
H01L 21/68 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/3065
FI (2)：
H01L 21/265 E ,  H01L 21/302 B
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (3)
  • 特開昭62-193141
  • 特開昭62-193141
  • 半導体ウエハ処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-181450   Applicant：三菱電機株式会社

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