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J-GLOBAL ID：200903082019006508

多結晶シリコンデバイス及び太陽電池

Inventor： 石原 俊一
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994178907
Publication number (International publication number)：1996046229
Application date： Jul. 29, 1994
Publication date： Feb. 16, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 ガラス、金属等の異種の基板と、多結晶シリコンとの、熱膨張係数の違いのための界面における応力歪みに起因する欠陥を抑える。【構成】 結晶シリコンとは異なる材料の基板上に多結晶シリコンを堆積したデバイスにおいて、基板1と多結晶シリコン4との間に非晶質SiGe層または非晶質SiSn層3が存在する。

Claim (excerpt)：

結晶シリコンとは異なる材料の基板上に多結晶シリコンを堆積したデバイスにおいて、基板と多結晶シリコンとの間に非晶質SiGe層または非晶質SiSn層が存在することを特徴とする多結晶シリコンデバイス。

FI (3)：

H01L 31/04 L ,  H01L 31/04 X ,  H01L 31/04 A