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J-GLOBAL ID：200903082020461049

半導体発光デバイス及びその製造方法

Inventor：
伊東 雅史

About 伊東 雅史


Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社


Agent (5)： 長谷川 芳樹 ,  塩田 辰也 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰 ,  近藤 伊知良
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003070492
Publication number (International publication number)：2004281686
Application date： Mar. 14, 2003
Publication date： Oct. 07, 2004
Summary：
【課題】端面に膜厚の薄い反射防止膜を備える半導体発光デバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体発光デバイス1は、第1及び第2の端面3a、3bを有する半導体発光デバイス部2aと、第1の端面3aに設けられた反射防止膜5aと、を備える。反射防止膜5aは、第1の層7aと第2の層7bとを有する。第1の層7aは、第1の端面3aと第2の層7bとの間に設けられている。第1の層7aの材料の屈折率は、第2の層7bの材料の屈折率よりも小さい。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
第1及び第2の端面を有する半導体発光デバイス部と、 前記第1の端面に設けられた反射防止膜と、 を備え、 前記反射防止膜は、第1の層と第2の層とを有しており、 前記第1の層は、前記第1の端面と前記第2の層との間に設けられており、 前記第1の層の材料の屈折率は、前記第2の層の材料の屈折率よりも小さい、半導体発光デバイス。
IPC (2)：
H01S5/028 ,  C23C14/06
FI (2)：
H01S5/028 ,  C23C14/06 P
F-Term (22)：
4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA41 ,  4K029BA43 ,  4K029BA44 ,  4K029BA46 ,  4K029BA48 ,  4K029BA58 ,  4K029BB02 ,  4K029BC07 ,  4K029BD01 ,  4K029CA01 ,  4K029CA09 ,  5F073AA22 ,  5F073AA61 ,  5F073AA83 ,  5F073AA89 ,  5F073AB12 ,  5F073CA12 ,  5F073CB20 ,  5F073DA33 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
  • 特開平4-299591
  • 特開昭62-230076
  • 光半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-364244   Applicant：三菱電機株式会社
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