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J-GLOBAL ID：200903082028659204

半導体レーザおよびその製造方法

Inventor： 堀川 英明 ,  申 英根 ,  上條 健
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 鈴木 敏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992087095
Publication number (International publication number)：1993291680
Application date： Apr. 08, 1992
Publication date： Nov. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 低閾値、かつ、高効率で動作する屈折率導波型の半導体レーザを提供することを目的とする。【構成】半導体レーザの電流ブロック層として、As組成が相対的に大きい高抵抗のGaAs層を用いる。通常の成長温度よりも低温、すなわちAs組成が相対的に大きくなる温度でGaAs層をエピタキシャル成長させる。これにより、高抵抗のGaAsからなる電流ブロック層をGaAs基板上に形成する。

Claim (excerpt)：

GaAs基板と、前記基板上に形成され、As組成が相対的に大きいGaAsからなり、溝を有する電流ブロック層と、少なくとも前記溝内に形成された第一クラッド層と、前記第一クラッド層上に形成され、GaAsとInGaAsからなる歪み量子井戸活性層と、前記歪み量子井戸活性層上に形成された第二クラッド層と、前記第二クラッド層上に形成されたコンタクト層とを有することを特徴とする半導体レーザ。