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J-GLOBAL ID：200903082039407312

パワーモジュール用基板及びその製造方法並びにこの基板を用いた半導体装置

Inventor： 久保 和明 ,  長瀬 敏之 ,  長友 義幸 ,  島村 正一
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 須田 正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998352796
Publication number (International publication number)：2000183260
Application date： Dec. 11, 1998
Publication date： Jun. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】セラミック基板を損傷させることなく半導体素子等から水冷式ヒートシンクまでの伝達経路を短くして半導体素子からの熱を有効に放散する。【解決手段】パワーモジュール用基板は、複数の挿通孔11aが形成されたセラミック基板11と、挿通孔に挿着されセラミック基板の厚さと同一又は僅かに薄い厚さを有しかつ貫通孔12aが形成された金属部材12と、セラミック基板及び金属部材の表面にろう材16を介して接着され貫通孔に連通する第1通孔13aを有しかつセラミック基板に対面する部分に回路パターン17が形成された第1金属薄板13と、裏面に接着され貫通孔及び第1通孔に連通する第2通孔14aを有しかつ水冷式ヒートシンク27に対面する第2金属薄板14とを備える。半導体装置は、この回路パターンに半導体素子23が搭載され、パワーモジュール用基板21が雄ねじ26により水冷式ヒートシンク27に直接接合される。

Claim (excerpt)：

周囲に複数の挿通孔(11a)が形成されたセラミック基板(11)と、前記挿通孔(11a)に挿着され前記セラミック基板(11)の厚さと同一又は僅かに薄い厚さを有しかつ貫通孔(12a)が形成された金属部材(12)と、前記セラミック基板(11)及び前記金属部材(12)の表面にろう材(16)を介して接着され前記貫通孔(12a)に連通する第1通孔(13a)を有しかつ前記セラミック基板(11)に対面する部分に回路パターン(17)が形成された第1金属薄板(13)と、を備え、前記第1通孔(13a)及び貫通孔(12a)に雄ねじを挿通して前記雄ねじ(26)を前記水冷式ヒートシンク(27)に形成された雌ねじ(27a)又は前記水冷式ヒートシンク(27)に貫通して形成された取付孔(27c)に更に挿通してナット(31)に螺合して前記水冷式ヒートシンク(27)に接合するように構成されたパワーモジュール用基板。

IPC (3)：

H01L 23/473 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (2)：

H01L 23/46 Z ,  H01L 25/04 C

F-Term (11)：

5F036AA01 ,  5F036BA10 ,  5F036BA23 ,  5F036BB01 ,  5F036BB08 ,  5F036BB21 ,  5F036BB23 ,  5F036BB41 ,  5F036BC03 ,  5F036BC06 ,  5F036BC22