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J-GLOBAL ID：200903082044613087

半導体のドライエッチング方法

Inventor： 小邑 篤 ,  坂野 芳和 ,  近藤 憲司 ,  三浦 昭二 ,  三瓶 哲彦 ,  金 啓逸
Applicant, Patent owner： 日本電装株式会社
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992333639
Publication number (International publication number)：1994163478
Application date： Nov. 18, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】シリコン基板に形状の整った非常に深い深溝を効率良く高精度に形成すること。【構成】ドライエッチング装置に、RIE(反応性イオン・エッチング)装置を用い、エッチングガスには、Br系ガスとしてHBr 、F 系ガスとしてSF6 とSiF4、それからHeガスを含むO2ガスを用いた。結果として対SiO2選択比が飛躍的に増大して、側壁角度がほぼ90度のわずかなテーパー性を保ちつつ、今まで実現できなかったより深い深溝を再現性良く形状良好に形成することができた。例として、SOI基板上に全く良好な深さ20μmの深溝が形成できた。

Claim (excerpt)：

シリコン基板をドライエッチングする方法において、臭素(Br)を含有するガスと、六フッ化硫黄(SF6) または三フッ化窒素(NF3) の少なくとも一種を含有するガスと、酸素(O2)を含有するガスとから成るガスでエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-152285
  
• 特開平4-298035
  
• 特開平3-246936