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J-GLOBAL ID:200903082047646164
シリケート質多孔体の製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (1):
間山 進也
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001091962
Publication number (International publication number):2002284584
Application date: Mar. 28, 2001
Publication date: Oct. 03, 2002
Summary:
【要約】【解決課題】 気孔特性、強度特性に優れ、安価に製造できるシリケート質多孔体の製造方法を提供する。【解決手段】 粘土鉱物を分散媒を用いて分散液にする工程と、前記分散液中に溶解する気体を除去し、前記分散液を凍結し、凍結状態のまま減圧下で乾燥する工程と、乾燥して得られた乾燥体を焼成する工程とを、含むシリケート質多孔体の製造方法を用いる。
Claim (excerpt):
粘土鉱物を分散媒を用いて分散液にする工程と、前記分散液中に溶解する気体を除去する工程と、前記分散液を凍結し、凍結状態のまま減圧下で乾燥する工程と、乾燥して得られた乾燥体を焼成する工程とを、含むシリケート質多孔体の製造方法。
IPC (2):
C04B 38/00 304
, B01J 20/12
FI (2):
C04B 38/00 304 B
, B01J 20/12 B
F-Term (9):
4G066AA22A
, 4G066AA22B
, 4G066AA63A
, 4G066AA63B
, 4G066BA22
, 4G066BA25
, 4G066FA03
, 4G066FA14
, 4G066FA22
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