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J-GLOBAL ID:200903082047646164

シリケート質多孔体の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 間山 進也
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001091962
Publication number (International publication number):2002284584
Application date: Mar. 28, 2001
Publication date: Oct. 03, 2002
Summary:
【要約】【解決課題】 気孔特性、強度特性に優れ、安価に製造できるシリケート質多孔体の製造方法を提供する。【解決手段】 粘土鉱物を分散媒を用いて分散液にする工程と、前記分散液中に溶解する気体を除去し、前記分散液を凍結し、凍結状態のまま減圧下で乾燥する工程と、乾燥して得られた乾燥体を焼成する工程とを、含むシリケート質多孔体の製造方法を用いる。
Claim (excerpt):
粘土鉱物を分散媒を用いて分散液にする工程と、前記分散液中に溶解する気体を除去する工程と、前記分散液を凍結し、凍結状態のまま減圧下で乾燥する工程と、乾燥して得られた乾燥体を焼成する工程とを、含むシリケート質多孔体の製造方法。
IPC (2):
C04B 38/00 304 ,  B01J 20/12
FI (2):
C04B 38/00 304 B ,  B01J 20/12 B
F-Term (9):
4G066AA22A ,  4G066AA22B ,  4G066AA63A ,  4G066AA63B ,  4G066BA22 ,  4G066BA25 ,  4G066FA03 ,  4G066FA14 ,  4G066FA22

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