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J-GLOBAL ID：200903082047671452

ドライエツチング方法及び装置

Inventor： 小松 英雄 ,  阿部 雅敏 ,  石田 丈繁
Applicant, Patent owner： 国際電気株式会社
Agent (1)： 石戸 元
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991318330
Publication number (International publication number)：1993129243
Application date： Nov. 05, 1991
Publication date： May. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】 微細加工性に優れ、かつ再現性のよいドライエッチング方法及び装置を提供する。【構成】 ウェーハ載置電極2と対向電極3の間隔6を15mm以上40mm以下の任意距離に設定する手段8と、両電極2,3に供給する交流電力の位相を両電極2,3間で135度±45度の範囲で任意の位相差に設定する手段9と、放電時の真空チャンバ1内の圧力を2Pa以上20Pa以下の範囲で任意に設定する手段10とを備えてなる。

Claim (excerpt)：

真空チャンバ(1)内に被エッチングウェーハ(7)を載置するウェーハ載置電極(2)と、これに平行に対向して対向電極(3)を設置し、この両電極(2,3)に交流電力を供給し、かつ真空チャンバ(1)内にエッチングガスを供給してプラズマ放電させ、被エッチングウェーハ(7)をドライエッチングする方法において、前記両電極(2,3)のプラズマ放電領域の間隔(6)を15mm以上40mm以下の範囲で任意に設定し、両電極(2,3)に供給する交流電力の位相を両電極(2,3)間で135度±45度の範囲で異なるようにし、放電時の真空チャンバ(1)内のガス圧力を2Pa以上20Pa以下の範囲で任意圧力に設定することを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (5)：

H01L 21/302 ,  C23C 14/40 ,  C23F 1/08 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46