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J-GLOBAL ID:200903082048998951

遷移金属元素を含むポリシロキサンおよびそれを用いた光導波路

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 中村 純之助
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993040992
Publication number (International publication number):1994256523
Application date: Mar. 02, 1993
Publication date: Sep. 13, 1994
Summary:
【要約】【目的】 可視光ないし近赤外光域にわたって光の損失が小さく、しかも耐熱性に優れ、非線形光学特性を示す遷移金属元素を分子中に含むポリシロキサンと、それを用いた光導波路部品を提供する。【構成】 (化1)で示される一般式【化1】〔式中、R1はCnY2n+1で表わされるアルキル基、重水素化アルキル基またはハロゲン化アルキル基、もしくはC6Y5で表わされるフェニル基、重水素化フェニル基またはハロゲン化フェニル基を示す。〕で表わされる繰り返し単位と、チタン、クロム、マンガン、鉄およびパラジウムのうちから選択されるいずれか1種の遷移金属元素を分子中に含有してなるポリシロキサン。およびポリシロキサンをコア部材として用いた光導波路部品。
Claim (excerpt):
下記の(化1)で示される一般式【化1】〔式中、R1はCnY2n+1(Yは水素、重水素またはハロゲン元素、nは5以下の正の整数)で表わされるアルキル基、重水素化アルキル基またはハロゲン化アルキル基、もしくはC6Y5(Yは水素、重水素またはハロゲン元素)で表わされるフェニル基、重水素化フェニル基またはハロゲン化フェニル基を示す。〕で表わされる繰り返し単位と、チタン、クロム、マンガン、鉄およびパラジウム元素のうちから選択されるいずれか1種の遷移金属元素を分子中に含有してなることを特徴とするポリシロキサン。
IPC (4):
C08G 77/58 NUM ,  G02B 1/04 ,  G02B 6/00 391 ,  G02B 6/12
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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