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J-GLOBAL ID：200903082054324261

銅薄膜形成用有機銅化合物とそれを用いた銅薄膜選択成長法

Inventor： 内田 寛人 ,  齋 篤 ,  佐藤 正光 ,  斎藤 記庸 ,  小木 勝実
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 広瀬 章一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994225167
Publication number (International publication number)：1995188254
Application date： Sep. 20, 1994
Publication date： Jul. 25, 1995
Summary：

【要約】【目的】 気化特性に優れ、かつ広い温度範囲で選択成長性に優れた有機金属化学蒸着法による銅薄膜形成用の有機銅化合物と、この化合物を用いた銅薄膜の選択成長法を提供する。【構成】 下記構造式(化1)【化1】で表される [trans-1,2-ビス (トリメチルシリル) エテン](1,1,1,5,5,5-ヘキサフルオロ-2,4-ペンタンジオナト) 銅(I) からなる銅薄膜形成用有機銅化合物、ならびにこの化合物を用いて、絶縁性表面 (SiO2) には銅薄膜を付着させずに、導電性表面 (Nb、Ta、またはTiN)に銅薄膜を選択成長させる方法。

Claim (excerpt)：

下記構造式 (化1)【化1】で表される [trans-1,2-ビス (トリメチルシリル) エテン](1,1,1,5,5,5-ヘキサフルオロ-2,4-ペンタンジオナト) 銅(I) からなる、有機金属化学蒸着法による銅薄膜形成用の有機銅化合物。

IPC (5)：

C07F 7/02 ,  C07F 7/08 ,  C23C 16/18 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/3205