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J-GLOBAL ID：200903082059181248

半導体受光装置とその製造方法

Inventor：
長島 伸幸

About 長島 伸幸


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 宮越 典明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999020178
Publication number (International publication number)：2000223735
Application date： Jan. 28, 1999
Publication date： Aug. 11, 2000
Summary：
【要約】【課題】 フォトダイオード部のpn接合部を無くすことで寄生容量を低減し、応答速度を向上させる。【解決手段】 p-型半導体基板を持つ半導体受光装置のフォトダイオード部と回路部との間の絶縁分離帯の一部又は全体をロコス5(LOCOSすなわち酸化膜)として形成することで、従来の半導体受光装置のフォトダイオード部に存在した不要なpn接合部を無くし、これにより、半導体受光装置の寄生容量を低減し、応答速度を向上させることを可能にする。
Claim (excerpt)：
フォトダイオード部と前記フォトダイオード部の出力を順次読み取る回路部との対が複数個含まれる半導体受光装置において、前記フォトダイオード部と前記回路部との間の絶縁分離をなす絶縁分離帯の一部をLOCOS酸化手段によりLOCOSとして形成したこと、を特徴とする半導体受光装置。
IPC (2)：
H01L 31/10 ,  H01L 21/76
FI (2)：
H01L 31/10 A ,  H01L 21/76 M
F-Term (17)：
5F032AA13 ,  5F032AA14 ,  5F032AB01 ,  5F032AB02 ,  5F032CA01 ,  5F032CA15 ,  5F032CA18 ,  5F032DA12 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NA03 ,  5F049PA03 ,  5F049PA20 ,  5F049QA03 ,  5F049RA06 ,  5F049RA10 ,  5F049SS03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 光半導体集積回路
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-095451   Applicant：三洋電機株式会社
  • 特開昭50-146291
  • 特開平2-142181
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