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J-GLOBAL ID：200903082071403973

固体撮像装置

Inventor： 馬渕 圭司 ,  大場 英史 ,  佐々木 道夫 ,  田中 長孝 ,  宮川 良平
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997174504
Publication number (International publication number)：1999026740
Application date： Jun. 30, 1997
Publication date： Jan. 29, 1999
Summary：

【要約】【課題】 増幅型MOS型固体撮像装置に入力する電源電圧の低電圧化を図り、残像を防止し、高い変換ゲインの撮像出力を得る固体撮像装置を提供すること。【解決手段】 半導体基板上に形成されたフォトダイオードPDと、このフォトダイオードPDの信号をゲートに入力する増幅トランジスタAmpと、この増幅トランジスタAmpを活性化するアドレス手段と、フォトダイオードPDの信号を排出するリセットトランジスタRを少なくとも有する単位セル1を備え、同一チップ内に昇圧回路7を搭載した。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成されたフォトダイオードと、このフォトダイオードの信号をゲートに入力する増幅トランジスタと、この増幅トランジスタを活性化するアドレス手段と、フォトダイオードの信号を排出するリセットトランジスタを少なくとも有する単位セルを用いた固体撮像装置において、同一チップ内に昇圧回路を搭載したことを特徴とする固体撮像装置。

IPC (6)：

H01L 27/146 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/762 ,  H01L 21/339 ,  H04N 5/335

FI (4)：

H01L 27/14 A ,  H04N 5/335 E ,  H01L 27/04 G ,  H01L 29/76 301 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 固体撮像素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-270827   Applicant：株式会社日立製作所, 日立デバイスエンジニアリング株式会社