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J-GLOBAL ID：200903082082512367

多結晶シリコン膜の形成方法

Inventor： 山崎 武
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 国則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991319781
Publication number (International publication number)：1993129204
Application date： Nov. 07, 1991
Publication date： May. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、多結晶シリコン膜中の結晶を成長させることで膜表面に突起を形成して、多結晶シリコン膜の表面積を大きくし、結合容量の増大化を図る。【構成】 第1の工程で、多結晶シリコン膜14中に不純物として、例えばリンを導入する。次いで第2の工程で、不純物を導入した多結晶シリコン膜14よりなる多結晶シリコンパターン16を熱処理することにより、当該多結晶シリコンパターン16中の結晶粒17を成長させて、多結晶シリコンパターン16の表面に突起18を形成する。

Claim (excerpt)：

多結晶シリコン膜中に不純物を導入する第1の工程と、前記不純物を導入した多結晶シリコン膜を熱処理することにより、当該多結晶シリコン膜中の結晶粒を成長させて、多結晶シリコン膜の表面に突起を形成する第2の工程とよりなることを特徴とする多結晶シリコン膜の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792