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J-GLOBAL ID：200903082085981228

イオンビーム発生装置

Inventor： 杉村 伸一 ,  飯田 英敏
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 尾川 秀昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994182920
Publication number (International publication number)：1996031357
Application date： Jul. 12, 1994
Publication date： Feb. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】 キャリアガスが通るアークチャンバ1内にプラズマ形成用のフィラメント3とそれに対向するアノード電極4を設け、更に磁場を生ぜしめることによりプラズマを発生させ、アークチャンバ1内に生じたイオンをスリット2から外部へ電界により引き出すイオンビーム発生装置において、高真空度下で昇華温度が高い物質でもイオン化してイオンビームを発生することができるようにし、イオン注入することのできる不純物の種類を多くする。【構成】 アノード電極4aを、イオン種を少なくとも含む材料で形成してイオンソースとして用い、スパッタによりアノード電極4a表面からイオン種が叩き出されるようにする。アノード電極のフィラメント側の表面に凹凸を形成する。また、キャリアガスとしてアノード電極に対して化学反応性を有するものを用いる。

Claim (excerpt)：

アークチャンバ内にプラズマ形成用のフィラメントとそれに対向するアノード電極を設け、該アークチャンバ内にキャリアガスを通し、該アークチャンバ内に磁場を生ぜしめることにより該キャリアガスによるプラズマを発生させ、アークチャンバ内に生じたイオンを外部へ電界により引き出すイオンビーム発生装置において、上記アノード電極をイオン種を少なくとも含む材料で形成したことを特徴とするイオンビーム発生装置

IPC (3)：

H01J 37/08 ,  H01J 27/14 ,  H01L 21/265

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭63-248036
  
• 特開昭63-248036