集積型薄膜光電変換装置の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：深見久郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997005378
Publication number (International publication number)：1998209477
Application date： Jan. 16, 1997
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：

【要約】【課題】水洗工程によって絶縁特性が劣化されることのない集積型薄膜光電変換装置の製造方法を提供する。【解決手段】周縁分離溝を含む集積型薄膜光電変換装置の製造方法であって、周縁溝(9,9a)は正極側セルおよび負極側セルと周縁領域(10)との間の微小短絡領域(10a)によって途切れており、その状態で水洗されて乾燥された後に、その微小短絡領域(10a)が除去される。それらの微小短絡領域(10a)の代わりに、リード(10b)を半田付けで設けてもよい。さらに、それらの短絡手段を設けることなく、光遮蔽ガードを有する水洗装置(20A)内で水洗工程を行なってもよい。さらにまた、光遮蔽ガードを有しない水洗装置であって水洗チャンバの前段に集積型光電変換装置の全面を瞬時に濡らす噴水スプレーを備えた水洗装置(20B)で水洗してもよい。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上に順次積層された第1電極層,半導体光電変換層,および第2電極層を含む積層体を備え、前記第1と第2の電極層の少なくとも一方は金属層を含み、前記積層体は周縁分離溝によって光電変換セル集積領域と周縁領域とに分離されており、前記セル集積領域は複数の光電変換セルを形成するように分割されかつそれらの複数のセルの少なくとも一部は電気的に直列接続されている集積型薄膜光電変換装置の製造方法であって、前記光電変換装置の水洗工程においては前記直列接続された複数のセルのうちの正極と負極のセルまたはそれらに近いセルと前記周縁領域との間は前記周縁分離溝によって完全には分離されずに電気的にショートさせられており、前記水洗工程の完了後に前記正極と負極のセルまたはそれらに近いセルと前記周縁領域との間にも完全な分離溝を形成することによって前記電気的ショートを除去することを特徴とする集積型薄膜光電変換装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 31/04 , H01L 21/304 341

FI (2)：

H01L 31/04 S , H01L 21/304 341 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

光半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-118463 Applicant：三洋電機株式会社
特開昭57-009321
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-020401 Applicant：三洋電機株式会社

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