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J-GLOBAL ID：200903082099068908

半導体装置の配線接続構造およびその製造方法

Inventor： 松浦 恵 ,  石田 友弘
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991264636
Publication number (International publication number)：1993109903
Application date： Oct. 14, 1991
Publication date： Apr. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】 多層アルミニウム配線の接続構造において、アルミニウム配線層間の界面のミキシングを促進し、接続孔の部分での上層のアルミニウム配線層の被覆性を改善することによって安定なバイア・ホール抵抗を得るとともに、信頼性のレベルを向上させる。【構成】 第1アルミニウム配線層4は接続孔6を通じて第2アルミニウム配線層100に電気的に接続する。第2アルミニウム配線層100はチタン膜101と窒化チタン膜102とアルミニウム合金膜104を備える。接続孔6にはタングステンプラグ103が充填されている。第1アルミニウム配線層4の表面にはタングステン膜312を形成する。チタン膜101は接続孔6を通じてタングステン膜312に接触する。

Claim (excerpt)：

半導体装置の配線接続構造であって、アルミニウムよりも高い融点を有する高融点元素含有層を表面に含む第1のアルミニウム配線層と、前記第1のアルミニウム配線層の上に形成され、前記第1のアルミニウム配線層の表面に達する貫通孔を含む絶縁層と、前記絶縁層の上に形成され、前記貫通孔を通じて前記第1のアルミニウム配線層に電気的に接続された第2のアルミニウム配線層とを備え、前記第2のアルミニウム配線層は、前記貫通孔を通じて延在し、前記絶縁層の上に形成されたチタン層と、前記チタン層の上に形成されたチタン化合物層と、前記チタン化合物層の上に形成されたアルミニウム含有層とを含み、前記チタン化合物層の上で前記アルミニウム含有層の下に形成され、前記貫通孔に充填された金属含有層とを備えた、半導体装置の配線接続構造。

IPC (3)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205

FI (2)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 N