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J-GLOBAL ID：200903082100646333
有機金属錯体を用いる薄膜の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
丸岡 政彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994248526
Publication number (International publication number)：1996085873
Application date： Sep. 16, 1994
Publication date： Apr. 02, 1996
Summary：
【要約】【目的】 優れた電気的特性を有し、かつ再現性の良い均一な薄膜を気相成長法によって容易に成膜することができる薄膜の製造方法の提供。【構成】 まず、恒温槽3内にあって、トリス-ジピバロイルメタナトイリジウムが1g充填された原料容器2(SUS316製、 100°Cの恒温に保持)に、不活性キャリアーガス4(アルゴンガス)を、フローメーター5を経て流量を 200ml/min に調節して導入し、このガス4に上記有機金属錯体1を同伴、昇華させる。次いで、このガスを熱分解炉6内に設けられ内部に基板9を載置した石英反応管7(ヒーター8によって 500°Cに加熱保持されている)に導入させ、基板9上への金属薄膜の成膜を行う(1時間)。
Claim (excerpt)：
気相成長法による薄膜の製造方法であって、化1で示されるIrとβ-ジケトン系有機化合物との錯体を原料として用いることを特徴とする有機金属錯体を用いる薄膜の製造方法。【化1】(ただし、式中RおよびR ́は-CH3 、-CF3 、-C2 H5 、-C2 F5、-C3 H7 、-C3 F7 および-C(CH3 )3 からなる群より選ばれたいずれかの基を表す。)
IPC (3)：
C23C 16/18
, B01J 19/00
, C07F 15/00
