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J-GLOBAL ID：200903082113926297

半導体発光素子

Inventor： 尺田 幸男
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 朝日奈 宗太 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994202476
Publication number (International publication number)：1996064869
Application date： Aug. 26, 1994
Publication date： Mar. 08, 1996
Summary：

【要約】【目的】 キャリア濃度を高く、または半導体層と電極金属との接触抵抗を小さくして電極間抵抗が小さく発光効率の高い半導体発光素子を提供する。【構成】 基板1上に少なくともn型層およびp型層を有するチッ化ガリウム系化合物半導体層4、6が積層され、前記n型層およびp型層のチッ化ガリウム系化合物半導体層にそれぞれ接続されたn側およびp側電極9、8が設けられてなる半導体発光素子であって、前記p型層のドーパントとしてBe、Mn、またはMg、Zn、Cd、BeおよびMnのうちの2種以上、n型層のドーパントとしてSe、S、Ge、Te、Sn、またはSi、Ge、Sn、S、SeおよびTeのうちの2種以上を使用する。

Claim (excerpt)：

基板上に少なくともn型層およびp型層を有するチッ化ガリウム系化合物半導体層が積層され、前記n型層のチッ化ガリウム系化合物半導体層に接続されたn側電極、および前記p型層のチッ化ガリウム系化合物半導体層に接続されたp側電極がそれぞれ設けられてなる半導体発光素子であって、前記p型層のチッ化ガリウム系化合物半導体層のドーパントがBeである半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-242985
  
• 特開昭62-205685
  
• 特開昭57-130489