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J-GLOBAL ID：200903082128398440

IGBT短絡保護回路

Inventor： 上原 壮吉
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994039506
Publication number (International publication number)：1995250482
Application date： Mar. 10, 1994
Publication date： Sep. 26, 1995
Summary：

【要約】【目的】本発明は、電源電圧によりしきい値を新たに設定する必要がないようにしたIGBT短絡保護回路を提供することにある。【構成】本発明1は、インバータを構成するIGBT素子のVCEを検出して短絡モードを検出するIGBT短絡保護回路において、IGBT素子の短絡を検出するVCEのしきい値を、インバータの主回路直流電圧をフィードバックして主回路直流電圧により決定し、このしきい値以上にIGBT素子のVCEが上昇したときにゲート電圧を低く絞りIGBT素子の短絡保護しているので、主回路直流電圧が変化しているときも短絡を正しく検出できる。

Claim (excerpt)：

インバータを構成するIGBT素子のコレクタ・エミッタ間電圧VCEを検出して短絡モードを検出するIGBT短絡保護回路において、前記IGBT素子の短絡を検出するコレクタ・エミッタ間電圧VCEのしきい値を、前記インバータの主回路直流電圧をフィードバックして当該主回路直流電圧により決定し、このしきい値以上に前記IGBT素子のコレクタ・エミッタ間電圧VCEが上昇したときにゲート電圧を低く絞り当該IGBT素子の短絡保護することを特徴とするIGBT短絡保護回路。