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J-GLOBAL ID：200903082129150957

基板処理装置

Inventor： 豊田 一行 ,  加賀谷 徹 ,  嶋 信人 ,  紺谷 忠司 ,  石丸 信雄
Applicant, Patent owner： 株式会社日立国際電気
Agent (3)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002193405
Publication number (International publication number)：2004039795
Application date： Jul. 02, 2002
Publication date： Feb. 05, 2004
Summary：

【課題】安定かつ十分な活性種を被処理基板に輸送でき、プロセス温度の低温化が図れ、かつ構造を簡単にする。【解決手段】石英製の反応管1を有し、反応管1内に、活性化を要しないガスと活性化を要するガスとを交互に供給して反応管1内に収容したウェーハ7に所望の処理を行なう。反応管1の一部分に、反応管1と連通する石英製のチャンバ60を一体的に設ける。チャンバ60は、反応管1の外部に設けた放電部2と、反応管1の内部に設けたバッファ室6とから構成される。放電部2は、ガス導入口8から導入される活性化を要する処理ガスからプラズマを生成し、このプラズマによって前記ガスを活性化して活性種を生成する。バッファ室6は、放電部2で生成された活性種を輸送して、反応管1内の積層した各ウェーハ7に供給する。活性化を要しない処理ガスはノズル43から各ウェーハ7に供給する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

非金属からなる反応管を有し、前記反応管内に処理ガスを供給して前記反応管内に収容した被処理基板に所望の処理を行なう基板処理装置において、 前記非金属からなる反応管の一部分に、前記反応管と連通する非金属からなるチャンバを一体的に設け、 前記チャンバ内で前記処理ガスを活性化して前記反応管内に供給するものであることを特徴とする基板処理装置。

IPC (2)：

H01L21/31 ,  C23C16/452

FI (2)：

H01L21/31 C ,  C23C16/452

F-Term (28)：

4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030EA03 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030KA04 ,  4K030KA30 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AB33 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AF03 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EE06 ,  5F045EE11 ,  5F045EF03 ,  5F045EH12 ,  5F045EK06 ,  5F045EM10