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J-GLOBAL ID:200903082137384401
半導体多次元加速度センサ
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
伊丹 勝
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992105471
Publication number (International publication number):1993281253
Application date: Mar. 31, 1992
Publication date: Oct. 29, 1993
Summary:
【要約】【目的】小型化を図った半導体多次元加速度センサを提供する。【構成】三次元の加速度を検出するための3個の感歪抵抗ブリッジ1x ,1y ,1z に対して、その一つの感歪抵抗ブリッジ1x には演算増幅器OPを用いた定電流電源回路2が設けられ、残りの感歪抵抗ブリッジ1y ,1z に対してはカレントミラー回路3により、感歪抵抗ブリッジ1x と等しい定電流が供給されるように構成した。
Claim (excerpt):
半導体基板に形成された感歪ゲージ抵抗を用いて構成された複数の感歪抵抗ブリッジを有する半導体多次元加速度センサにおいて、一つの感歪抵抗ブリッジに対して演算増幅器を用いた定電流電源が設けられ、残りの感歪抵抗ブリッジに対して前記定電流電源による電流と等しい電流を供給するカレントミラー回路が設けられていることを特徴とする半導体多次元加速度センサ。
IPC (2):
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