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J-GLOBAL ID：200903082137534861

レーザパルス発生装置

Inventor： 景山 恭行 ,  東 博純
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田中央研究所
Agent (1)： 萼 経夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999038816
Publication number (International publication number)：2000244036
Application date： Feb. 17, 1999
Publication date： Sep. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】 従来のパルスレーザ発生装置に比べて試料表面を短時間で且つ確実に必要温度に加熱することができるパルスレーザ発生装置を提供する。【解決手段】 非晶質シリコン薄膜をパルスレーザアニールにより多結晶シリコン薄膜とするためのパルスレーザ発生装置であって、(1)レーザ発振器から発射されたパルスレーザビームを形状を保持したまま強度のみを分割する手段、(2)分割された前記ビームの一方に光路長を追加する手段、(3)分割された前記ビームの他方を、更に時間差を有する複数のパルスからなるパルス列に分割する手段、 (4)前記両ビームの強度を独立して制御可能な強度減衰手段、並びに(5)前記両ビームの断面形状及び断面内強度分布を整形する手段、を有するパルスレーザ発生装置。

Claim (excerpt)：

非晶質薄膜をレーザパルスアニールにより多結晶薄膜とするためのレーザパルス発生装置であって、(1)レーザ発振器から発射されたレーザパルスビームを形状を保持したまま強度のみを分割する手段、(2)分割された前記ビームの一方に光路長を追加する手段、(3)分割された前記ビームの他方を、更に時間差を有する複数のパルスからなるパルス列に分割する手段、(4)前記両ビームの強度を独立して制御可能な強度減衰手段、並びに(5)前記両ビームの断面形状及び断面内強度分布を整形する手段、を有することを特徴とするレーザパルス発生装置。

IPC (3)：

H01S 3/00 ,  G02B 26/00 ,  H01L 21/268

FI (3)：

H01S 3/00 B ,  G02B 26/00 ,  H01L 21/268 F

F-Term (13)：

2H041AA02 ,  2H041AA06 ,  5F072AA06 ,  5F072JJ02 ,  5F072JJ05 ,  5F072KK05 ,  5F072KK15 ,  5F072KK30 ,  5F072MM01 ,  5F072MM08 ,  5F072RR05 ,  5F072SS06 ,  5F072YY08