Pat
J-GLOBAL ID：200903082145443794
ウエハ吸着装置とこれを用いた半導体装置製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
船橋 国則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992118058
Publication number (International publication number)：1993286568
Application date： Apr. 10, 1992
Publication date： Nov. 02, 1993
Summary：
【要約】【目的】 半導体素子に悪影響を及ぼさないウエハ吸着装置とこれを用いた半導体装置製造方法を提供すること。【構成】 ウエハ10を吸着する吸着ブロック群3として、半導体素子10aの配列と対応した位置に上下動可能な複数の吸着ブロック31をステージ2に挿設し、各吸着ブロック31の間に所定の深さの溝を設ける。この吸着ブロック群3上にウエハ10を吸着して切断し個々の半導体素子10aに分割する。そして、所定の半導体素子10aが吸着された吸着ブロック31を上方に押し上げることで、この半導体素子10aをステージ2上に配置した配線部材6に実装する。
Claim (excerpt)：
複数の半導体素子が所定の配列で形成されたウエハを、ステージに設けられた吸着ブロック群にて吸着するウエハ吸着装置であって、前記吸着ブロック群は、前記半導体素子の配列と対応した位置に、上下動可能な複数の吸着ブロックが前記ステージに挿設されたもので、前記各吸着ブロックの間には、所定の深さの溝が設けられているとともに、前記各吸着ブロックの上面には、前記半導体素子を個別に吸着する吸気孔を有する吸着面が設けられていることを特徴とするウエハ吸着装置。
IPC (5)：
B65G 49/07
, B65G 47/78
, H01L 21/68
, H01L 21/78
, B65G 47/91
