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J-GLOBAL ID：200903082148801209

薄膜トランジスタ

Inventor： 古田 守 ,  平尾 孝 ,  古田 寛 ,  松田 時宜
Applicant, Patent owner： 財団法人高知県産業振興センター ,  カシオ計算機株式会社
Agent (1)： 清原 義博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006314818
Publication number (International publication number)：2007194594
Application date： Nov. 21, 2006
Publication date： Aug. 02, 2007
Summary：

【課題】 酸化亜鉛を主成分とする酸化物半導体薄膜層を有する薄膜トランジスタにおいて、薄膜トランジスタのチャネルを形成する酸化物半導体薄膜層中の水素濃度を制御する事により、酸化物半導体薄膜層の導電率を制御し、リーク電流の抑制、しきい電圧の低減、電子移動度の向上といった効果を奏する薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】 基板上にチャネルとして形成される酸化亜鉛を主成分とする酸化物半導体薄膜層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを少なくとも有し、該酸化物半導体薄膜層中に水素を少なくとも含有することを特徴とする薄膜トランジスタである。【選択図】 図5

Claim (excerpt)：

基板上にチャネルとして形成される酸化亜鉛を主成分とする酸化物半導体薄膜層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを少なくとも有し、該酸化物半導体薄膜層中に水素を少なくとも含有することを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (1)：

H01L 29/786

FI (2)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618F

F-Term (26)：

5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA08 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110GG04 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110HK07 ,  5F110HL07 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-068270   Applicant：新技術事業団
• 半導体装置およびその製造方法ならびに電子デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-079273   Applicant：シャープ株式会社, 大野英男, 川崎雅司
• 薄膜トランジスタ、及びそれを備えた表示素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-379779   Applicant：富士ゼロックス株式会社
• 光検出装置、及びその実装方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-104474   Applicant：富士ゼロックス株式会社
• アモルファス酸化物膜をチャネル層に用いた電界効果型トランジスタ、アモルファス酸化物膜をチャネル層に用いた電界効果型トランジスタの製造方法及びアモルファス酸化物膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-221552   Applicant：キヤノン株式会社