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J-GLOBAL ID：200903082151653946

半導体超微粒子を架橋する方法および半導体超微粒子架橋材料

Inventor： 高原 茂 ,  水間 浩一 ,  八尾 浩史 ,  林 豊治
Applicant, Patent owner： 三井東圧化学株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993268625
Publication number (International publication number)：1995116503
Application date： Oct. 27, 1993
Publication date： May. 09, 1995
Summary：

【要約】【構成】 複数の不飽和基を有する化合物とともに、すでに製造した、または製造中の半導体超微粒子に光を照射し、該半導体超微粒子に不飽和基を有する分子鎖を修飾した後、この修飾された半導体超微粒子同士を、加熱や放射線照射、架橋剤の添加等により架橋させ、半導体超微粒子架橋材料を製造する方法およびこのようにして製造された半導体超微粒子架橋材料。【効果】 本発明に従えば、光学材料や光電子材料、電子材料、磁気材料、医薬、農薬、触媒材料、無機材料、塗料・コーティング材料、化粧品材料などに利用可能な新規材料が提供される。

Claim (excerpt)：

複数の不飽和基を有する化合物とともに、半導体超微粒子に光を照射し、該半導体超微粒子に不飽和基を有する分子鎖を修飾した後、この不飽和基が修飾された半導体超微粒子同士を架橋させることを特徴とする、半導体超微粒子架橋材料を製造する方法。

IPC (3)：

B01J 19/00 ,  H01L 51/10 ,  H01L 31/08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 超微粒子を有する分子及びその構造体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-213646   Applicant：三井東圧化学株式会社