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J-GLOBAL ID：200903082176157552

熱電変換装置およびその製造方法

Inventor： 三 好 実 人 ,  今 西 雄一郎 ,  櫛 引 圭 子 ,  小 林 正 和 ,  古 谷 健 司 ,  篠 原 和 彦
Applicant, Patent owner： 日本碍子株式会社 ,  日産自動車株式会社
Agent (1)： 小塩 豊
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997011640
Publication number (International publication number)：1998209509
Application date： Jan. 24, 1997
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：

【要約】【課題】 耐熱性に優れ、有害揮発成分を含まないシリコン-ゲルマニウム熱電半導体の特長を活かすと共に熱膨張係数が小さいシリコン-ゲルマニウム熱電半導体の短所を克服して、接合工程の熱処理時や高温での使用時に接合不良を生じがたく、耐熱・耐久性に優れた熱電変換装置を提供する。【解決手段】 p型熱電半導体2pとn型熱電半導体2nとが接合用ろう材3a,3bおよび電極層4a,4bを介して電気的に接合された熱電変換装置1において、p型熱電半導体2pおよびn型熱電半導体2nの少なくとも接合端部の主成分がシリコン-ゲルマニウムであり、熱電半導体2p,2nの少なくとも接合端部の相対密度が70%以上94%以下であるものとした。

Claim (excerpt)：

p型熱電半導体とn型熱電半導体が電気的に接合された熱電変換装置において、p型熱電半導体およびn型熱電半導体の少なくとも接合端部の主成分がシリコン-ゲルマニウムであり、熱電半導体の少なくとも接合端部の相対密度が70%以上94%以下であることを特徴とする熱電変換装置。

IPC (2)：

H01L 35/32 ,  H01L 35/14

FI (2)：

H01L 35/32 A ,  H01L 35/14