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J-GLOBAL ID：200903082179459274
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
布施 行夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996298009
Publication number (International publication number)：1997167859
Application date： Feb. 27, 1991
Publication date： Jun. 24, 1997
Summary：
【要約】【課題】 基板に何らかの加工を施すことなく、あるいはコンタクトホールの作製などの複雑な工程を含まない、信頼性・量産性の優れた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子とその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体発光素子は、窒化ガリウム系化合物半導体(Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N;0≦x<1)からなる半導体層を含む半導体発光素子において、前記半導体層上に形成された電極と40と、前記電極40に連続し、この電極の材料の拡散によって形成された低抵抗領域38とを含む。
Claim (excerpt)：
窒化ガリウム系化合物半導体(Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N;0≦x<1)からなる半導体層を含む半導体発光素子において、前記半導体層上に形成された電極と、前記電極に連続し、この電極の材料の拡散によって形成された低抵抗領域と、を含むことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
IPC (2)：
FI (3)：
H01L 33/00 C
, H01L 33/00 E
, H01S 3/18
