Pat

J-GLOBAL ID：200903082185877991

ハイドライド気相成長方法による転位密度の低い無極性窒化ガリウムの成長

Inventor： ベンジャミン・エー・ハスケル ,  マイケル・ディー・クレイブン ,  ポール・ティー・フィニ ,  スティーブン・ピー・デンバース ,  ジェームス・エス・スペック ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア ,  独立行政法人科学技術振興機構
Agent (1)： 清水 守
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2004564676
Publication number (International publication number)：2006510227
Application date： Jul. 15, 2003
Publication date： Mar. 23, 2006
Summary：

ハイドライド気相成長法(HVPE)を用いた無極性a面窒化ガリウム(GaN)膜のエピタキシャル横方向オーバーグロース(LEO)により、欠陥密度を著しく低減させる。

Claim (excerpt)：

平坦な無極性a面窒化ガリウム(GaN)膜のエピタキシャル横方向オーバーグロースを実施する方法であって、 (a)基板に堆積されているマスクをパターニングする工程、および (b)ハイドライド気相成長法を使用して前記基板から前記GaN膜のエピタキシャル横方向オーバーグロースを実施する工程を含み、前記パターニングされたマスクによって覆われていない前記基板の部分上にのみ前記GaN膜は核を形成し、前記GaN膜は、前記パターニングされたマスクの開口部を通って垂直に成長し、次に前記GaN膜は、前記パターニングされたマスク上および前記基板の表面上にわたって横方向に広がる ことを特徴とする方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/02

FI (2)：

H01L21/205 ,  H01L21/02 B

F-Term (12)：

5F045AA03 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AD11 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045DA67

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• III族窒化物系化合物半導体の製造方法及びIII族窒化物系化合物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-100931   Applicant：豊田合成株式会社
• 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-080288   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 気相エピタキシャル成長法、半導体基板の製造方法、半導体基板及びハイドライド気相エピタキシー装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-027009   Applicant：日本電気株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Structural characterization of nonpolar (11-20)a-plane GaN thin films grown on (1-102)r-plane sapphi