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J-GLOBAL ID：200903082186398566

マスタスライス方式の半導体装置

Inventor： 倉島 健司
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992167853
Publication number (International publication number)：1994013588
Application date： Jun. 25, 1992
Publication date： Jan. 21, 1994
Summary：

【要約】【構成】マスタスライス方式の半導体装置において、入出力セルのPchトランジスタを構成するNウエルを、各入出力セル下のNウエル毎に電気的に分離して構成する。内部セル領域はPchトランジスタ列とNchトランジスタ列を交互に隣接して複数段配置する。トランジスタ列方向に垂直な方向に対して上端と下端のトランジスタ列はPchトランジスタ列で構成する。さらに電位の異なる第1電源配線と第2電源配線を有し、第1電源配線は内部セル領域と入出力セル領域の間に配置し、第2電源配線は内部セル領域における上端と下端のPchトランジスタ列上に配置する。【効果】入出力セル毎に個別の電位を設定でき、半導体基板外部に対して2電源動作を可能とする。電源配線への電流供給用の配線を容易にし、またレベル変換用回路等を有効配置できる。

Claim (excerpt)：

半導体基板表面の中央部にPchトランジスタとNchトランジスタで構成された基本セルが複数段アレイ状に配置されて内部セル領域を構成してなり、前記内部セルの外周部に1個以上のPchトランジスタおよび1個以上のNchトランジスタにより構成される入出力セルが複数個配置されて入出力セル領域を構成してなり、前記入出力セル領域の外周部に外部入出力パッドが複数個配置して入出力パッド領域を構成してなるマスタスライス方式の半導体装置において、前記入出力セルのPchトランジスタはNウエル上に形成されてなり、前記入出力セルのNchトランジスタはPウエル上に形成されてなり、かつ前記入出力セル下のNウエルは隣接する前記入出力セル下のNウエルと電気的に分離することを特徴とするマスタスライス方式の半導体装置。

IPC (2)：

H01L 27/118 ,  H01L 27/092

FI (2)：

H01L 21/82 M ,  H01L 27/08 321 J