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J-GLOBAL ID：200903082195942295

半導体製造方法および面発光型半導体レーザの製造方法および面発光型半導体レーザ素子および光送信モジュールおよび光送受信モジュールおよび光通信システム

Inventor： 上西 盛聖
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Agent (1)： 植本 雅治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002173554
Publication number (International publication number)：2004022686
Application date： Jun. 14, 2002
Publication date： Jan. 22, 2004
Summary：

【課題】AlAs層の厚さが比較的薄い場合にも、反射率変化に基づく酸化狭窄の制御を良好に行なうことの可能な半導体製造方法を提供する。【解決手段】酸化炉内において、半導体多層膜構造に被酸化層を含む被測定物に光を照射し、酸化反応中の被測定物からの反射光を検出し、前記反射光の反射率、平均反射率、反射率の変化率、平均反射率の変化率を演算し、該演算結果に基づき酸化反応の進行を検出し、酸化反応の制御を行なう半導体製造方法であって、前記被測定物は、半導体基板上のモニターサンプルであり、かつ半導体多層膜構造の被酸化層よりも上部の少なくとも一部がエッチングにより除去されている。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

酸化炉内において、半導体多層膜構造に被酸化層を含む被測定物に光を照射し、酸化反応中の被測定物からの反射光を検出し、前記反射光の反射率、平均反射率、反射率の変化率、平均反射率の変化率を演算し、該演算結果に基づき酸化反応の進行を検出し、酸化反応の制御を行なう半導体製造方法であって、前記被測定物は、半導体基板上のモニターサンプルであり、かつ半導体多層膜構造の被酸化層よりも上部の少なくとも一部がエッチングにより除去されていることを特徴とする半導体製造方法。

IPC (3)：

H01S5/183 ,  H01L21/66 ,  H01S5/323

FI (3)：

H01S5/183 ,  H01L21/66 Y ,  H01S5/323

F-Term (21)：

4M106AA01 ,  4M106AA13 ,  4M106AB10 ,  4M106BA04 ,  4M106CA48 ,  4M106DH03 ,  4M106DH12 ,  4M106DH56 ,  5F073AA53 ,  5F073AA65 ,  5F073AA74 ,  5F073AB17 ,  5F073AB28 ,  5F073BA02 ,  5F073CA17 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073DA27 ,  5F073DA35 ,  5F073HA02 ,  5F073HA10