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J-GLOBAL ID：200903082198331360
ガス処理装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井上 俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993179845
Publication number (International publication number)：1995078766
Application date： Jun. 24, 1993
Publication date： Mar. 20, 1995
Summary：
【要約】【目的】 抵抗発熱体や端子部などの処理ガスによる腐食を抑えて、抵抗発熱体に安定して電力を供給し、半導体ウエハに対してCVDなどのガス処理を安定して行うこと。【構成】 下端が開口している筒状の石英製のケース3を処理室2内に配置し、下端のフランジ部34と処理室2の底壁とを気密に接合することによりケース3の内部空間を処理室と気密に隔離する。ケース3内にウエハ載置面31と対向するように抵抗発熱体4を設け、大気側より給電線5A、5B及び熱電対6を、ケース3の下端に対向する蓋板24を通してケース3内に導入する。蓋板24に不活性ガス供給管43及び排気管45を接続し、これらによりケース3内を不活性ガス雰囲気にして抵抗発熱体4などの酸化を防止する。
Claim (excerpt)：
処理室内に配置された被処理体を加熱手段により加熱しながら処理ガスにより処理するガス処理装置において、内部空間が処理室内の雰囲気に対して気密に隔離されると共に処理室の外に連通し、光透過性の材質よりなる被処理体載置面を備えたケースと、このケース内に、被処理体載置面と対向するように配置された加熱手段と、前記処理室の外部から処理室内の雰囲気に触れることなく前記ケース内に導入されて前記加熱手段に接続された給電線と、を備えてなることを特徴とするガス処理装置。
IPC (2)：
H01L 21/205
, H01L 21/3065
