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J-GLOBAL ID：200903082198347576

炭素薄膜の形成方法とその改質方法およびその改質方法を用いた電子デバイスおよびX線多層膜ミラーとその製造方法

Inventor： 花里 善夫 ,  宮本 誠 ,  西川 智志 ,  磯田 悟 ,  秋山 浩一 ,  中原 武彦
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 田澤 博昭 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993029700
Publication number (International publication number)：1994184738
Application date： Jan. 27, 1993
Publication date： Jul. 05, 1994
Summary：

【要約】【目的】 平坦な炭素分子の薄膜を形成することができる炭素薄膜の形成方法とその改質方法およびその方法を用いた電子デバイスおよびX線多層膜ミラーとその製造方法を提供する。【構成】 基板上に、多面体、円筒またはらせん形のいずれかの形状の複数の炭素原子からなる分子または該分子以外の分子または原子を一つ以上イオン化し加速して蒸着する。また、改質方法は、前記炭素薄膜にイオン注入するか、イオン注入とともに熱処理する。また、前記炭素薄膜はフラーレン類またはカーボンナノチューブである。

Claim (excerpt)：

基板上に、多面体、円筒またはらせん形のいずれか1種の形状を有する複数の炭素原子からなる分子を薄膜状に形成する際に、前記分子または前記分子以外の分子または原子を一つ以上イオン化し加速して蒸着することを特徴とする炭素薄膜の形成方法。

IPC (9)：

C23C 14/32 ,  C01B 31/02 ZAA ,  C01B 31/02 101 ,  G02B 5/08 ,  G21K 1/06 ,  H01L 21/203 ,  H01L 29/91 ,  H01L 39/12 ZAA ,  H01L 31/10

FI (2)：

H01L 29/91 F ,  H01L 31/10 A