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J-GLOBAL ID：200903082205587200

ポリイミド系半導体保護膜

Inventor： 富川 真佐夫 ,  江口 益市 ,  平本 叔
Applicant, Patent owner： 東レ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995268695
Publication number (International publication number)：1996113645
Application date： Feb. 12, 1987
Publication date： May. 07, 1996
Summary：

【要約】【課題】ヤング率が低く、強伸度特性の優れたポリイミド系半導体保護膜を得る。【解決手段】ジアミン成分として4,4’-ジアミノジフェニルスルフィドと4,4’-ジアミノジフェニルエーテルを60/40〜95/5のモル比で含有し、酸成分としてピロメリット酸二無水物を含有し、ヤング率が200kgf/cm2 以下であることを特徴とするポリイミド系半導体保護膜。

Claim (excerpt)：

ジアミン成分として4,4’-ジアミノジフェニルスルフィドと4,4’-ジアミノジフェニルエーテルを60/40〜95/5のモル比で含有し、酸成分としてピロメリット酸二無水物を含有し、ヤング率が200kgf/cm2 以下であることを特徴とするポリイミド系半導体保護膜。

IPC (3)：

C08G 73/10 NTF ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭63-199238
  
• ポリイミド共重合体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-050508   Applicant：東レ株式会社