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J-GLOBAL ID：200903082212201172

光起電力装置の製法

Inventor： 円藤 俊人 ,  小林 健二 ,  津下 和永 ,  太和田 善久
Applicant, Patent owner： 鐘淵化学工業株式会社
Agent (1)： 朝日奈 宗太 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993199756
Publication number (International publication number)：1994232430
Application date： Feb. 26, 1987
Publication date： Aug. 19, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高温で使用したばあいにおける裏面電極と透明電極の接続部における金属電極の酸化が防止され、出力特性の低下の少ない光起電力装置の製法を提供する。【構成】 透光性基板上に積層された第1の電極、非晶質半導体層および第2の電極からなり、光電変換領域が複数個電気的に直列接続された光起電力装置の製法。非晶質半導体層の一部を除去したのち、露出した第1の電極の表面部分を水素プラズマまたは還元性溶液で還元し、そののち第2の電極を形成する。

Claim (excerpt)：

1 透光性基板上に積層された第1の電極、非晶質半導体層および第2の電極からなり、光電変換領域が複数個電気的に直列接続された光起電力装置の製法であって、前記非晶質半導体層の一部を除去したのち、露出した第1の電極の表面部分を水素プラズマで還元し、そののち第2の電極を形成することを特徴とする光起電力装置の製法。2 透光性基板上に積層された第1の電極、非晶質半導体層および第2の電極からなり、光電変換領域が複数個電気的に直列接続された光起電力装置の製法であって、前記非晶質半導体層の一部を除去したのち、露出した第1の電極の表面部分を還元性溶液で還元し、そののち第2の電極を形成することを特徴とする光起電力装置の製法。3 透光性基板上に第1の電極を形成し、該第1の電極の透光性基板と反対側の表面層を水素プラズマで還元し、前記表面層の金属成分比が第1の電極の他の部分の金属成分比より大きくすることを特徴とする光起電力装置の製法。4 透光性基板上に第1の電極を形成し、該第1の電極の透光性基板と反対側の表面層を還元性溶液で還元し、前記表面層の金属成分比が第1の電極の他の部分の金属成分比より大きくすることを特徴とする光起電力装置の製法。

FI (2)：

H01L 31/04 M ,  H01L 31/04 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭61-100979
  
• 特開昭61-164274
  
• 特開昭61-164273