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J-GLOBAL ID：200903082231175522

液浸露光プロセス用レジスト保護膜形成用材料、該保護膜形成材料による保護膜を有するレジスト膜、および該保護膜を用いたレジストパターン形成方法

Inventor： 平山 拓 ,  高須 亮一 ,  佐藤 充 ,  脇屋 和正 ,  吉田 正昭 ,  田村 弘毅
Applicant, Patent owner： 東京応化工業株式会社
Agent (1)： 酒井 宏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005144781
Publication number (International publication number)：2005250511
Application date： May. 17, 2005
Publication date： Sep. 15, 2005
Summary：

【課題】液浸露光プロセス、中でもリソグラフィー露光光がレジスト膜に到達する経路の少なくとも前記レジスト膜上に空気より屈折率が高くかつ前記レジスト膜よりも屈折率が低い所定厚さの液体を介在させた状態で露光することによってレジストパターンの解像度を向上させる液浸露光プロセスにおいて、液浸露光中のレジスト膜の変質および使用液体の変質を同時に防止し、液浸露光を用いた高解像性レジストパターンの形成を可能とする。【解決手段】パーフルオロアルキルポリエーテルとして環式パーフルオロアルキルポリエーテルを含有する組成物を用いて、使用するレジスト膜の表面に、露光光に透明で、レジスト膜を浸漬させる液体に対して実質的に相溶性を持たず、かつレジスト膜との間でミキシングを生じない特性を有する保護膜を形成する。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

パーフルオロアルキルポリエーテルを含有する組成物からなり、露光光に対して透明で、液浸露光用の液体に対して実質的な相溶性を持たず、かつ前記レジスト膜との間でミキシングを生じない特性を有する、液浸露光プロセスに用いて好適なレジスト保護膜形成用材料であって、 前記パーフルオロアルキルポリエーテルが環式パーフルオロアルキルポリエーテルであることを特徴とする液浸露光プロセス用レジスト保護膜形成用材料。

IPC (2)：

G03F7/11 ,  H01L21/027

FI (2)：

G03F7/11 501 ,  H01L21/30 575

F-Term (19)：

2H025AA00 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BF08 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB33 ,  2H025CB41 ,  2H025DA02 ,  2H025DA03 ,  2H025FA03 ,  2H025FA17 ,  5F046PA19