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J-GLOBAL ID：200903082233486231

プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

Inventor： 門村 新吾
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994229189
Publication number (International publication number)：1996096990
Application date： Sep. 26, 1994
Publication date： Apr. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 べルジャの局所的加熱やスパッタリングのない、プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。【構成】 マグネトロン1で励振したマイクロ波を導波管2を経由してプラズマ生成チャンバ4に導入してヘリコン波を生成し、内周ソレノイドコイル6で伝播する。【効果】 RFアンテナを使用しないので、アンテナによる電界強度の不均一がない。このためプラズマ生成チャンバがスパッタされることなく、安定したプラズマ処理が可能となる。またプラズマ生成チャンバヒータ5を設けることができるので、反応生成物の堆積を防止できる。

Claim (excerpt)：

マイクロ波導波管の一端に配設したマグネトロンと、前記マイクロ波導波管の他端にマイクロ波導入窓を介して連接したプラズマ生成チャンバと、前記プラズマ生成チャンバの周囲に配設したヘリコン波伝播用磁場発生手段と、前記マイクロ波生成チャンバに連接し、内部に被処理基板を配置したプラズマ拡散チャンバを具備してなることを特徴とする、プラズマ処理装置。

IPC (4)：

H05H 1/46 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (2)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/302 H