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J-GLOBAL ID：200903082246206700

化合物半導体発光素子

Inventor： 宇田川 隆
Applicant, Patent owner： 昭和電工株式会社
Agent (1)： 福田 武通 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997351713
Publication number (International publication number)：1999186600
Application date： Dec. 19, 1997
Publication date： Jul. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】 発光をもたらす素子動作電流を有効に発光領域の略全面に拡散させて発光面積を拡張し、また発光層の品質を良好に保持することで、発光出力を充分に発揮させることができるようにする。【解決手段】 この発明は、p形不純物を添加したp形半導体層3上に透光性薄膜電極4を介してp形台座電極3を設けた化合物半導体発光素子10において、p形半導体層3の内部に、所定範囲の温度で注入熱処理を施すことでp形半導体層3よりも高抵抗に形成した高抵抗イオン注入領域6を設け、その高抵抗イオン注入領域6の上方にp形台座電極5を設けた、ことを特徴としている。

Claim (excerpt)：

p形不純物を添加したp形半導体層上に透光性薄膜電極を介してp形台座電極を設けた化合物半導体発光素子において、上記p形半導体層の内部に、所定範囲の温度で注入熱処理を施すことでp形半導体層よりも高抵抗に形成した高抵抗イオン注入領域を設け、その高抵抗イオン注入領域の上方に上記p形台座電極を設けた、ことを特徴とする化合物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 半導体光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-081948   Applicant：豊田合成株式会社
• 3族窒化物半導体発光素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-212675   Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
• 発光素子構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-180118   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 化合物半導体発光ダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-118880   Applicant：昭和電工株式会社
• 特開昭60-158683