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J-GLOBAL ID:200903082247232879

リフトオフイメージングプロフィルを得る方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 江崎 光史 (外2名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):1997531775
Publication number (International publication number):1999504446
Application date: Feb. 18, 1997
Publication date: Apr. 20, 1999
Summary:
【要約】以下の段階:a) プラズマで腐蝕可能な材料からなり、この際この材料が約0.5μm(マイクロメーター)よりも薄い膜厚を有する第一層を作り、b) 上記第一層の上表面にフォトイメージ可能な材料からなる第二層を作り、c) 上記第二層を選択的に露光しそして現像する段階によって、この第二層にパターンを形成し、d) 第二層を有機ケイ素材料と反応させ;そしてe) 酸素雰囲気中で第一層を等方性的に腐蝕する、ことを含むリフトオフイメージングプロフィルを得る方法。
Claim (excerpt):
以下の段階:a) プラズマで腐蝕可能な材料からなり、この際この材料が約0.5μm(マイクロメーター)よりも薄い膜厚を有する第一層を作り、b) 上記第一層の上表面にフォトイメージ化可能な材料からなる第二層を作り、c) 上記第二層を選択的に露光しそして現像する段階によって、この第二層にパターンを形成し、d) 第二層を有機ケイ素材料と反応させ;そしてe) 酸素雰囲気中で第一層を等方性的に腐蝕する、ことを含むリフトオフイメージングプロフィルを得る方法。
IPC (4):
G03F 7/26 513 ,  G03F 7/022 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/38 512
FI (4):
G03F 7/26 513 ,  G03F 7/022 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/38 512

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